传感器
AMR2501 高精度低本底噪声线性磁传感器芯片
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  • dfn16l中
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产品型号:AMR2501
兼容型号:
磁阻结构:/
供电电压(V):1~12 V
敏度(mV/V/Gs):2.1
电阻(kΩ):0.77
饱和场(Gs):±4
敏感方向:X轴
磁滞(Gs):0.02
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):0.15
封装形式:DFN16L
交付周期:In Stock
规格说明书:点击下载
  • AMR2501

产品概述AMR2501采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,惠斯通电桥包含四个高灵敏度AMR传感元件,独特AMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。AMR2501性能优越,采用极小封装形式DFN16L (5 mm × 6 mm × 0.75 mm)

产品特性(1)各向异性磁阻(AMR)技术;(2)本底噪声100 pT/√Hz@1 Hz(3)宽工作电压范围;(4)较低的饱和场;(5)优越的温度稳定性(6)低磁滞

典型应用(1)微弱磁场检测;(2)电流传感器;(3)位置传感器;(4)磁强计。

                                                                                                                         

申明:(1)多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的,所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提高产品质量,可靠性和功能以更改产品规格的权力。多维科技对任何超出产品应用范围而造成的后果不承担法律责任。(2)“多维科技“和“多维科技 感知未来”是江苏多维科技有限公司的合法注册商标。

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