在磁隧道结（MTJ s）中，TMR效应的产生机理是自旋相关的隧穿效应。MTJ s的一般结构为铁磁层 /非磁绝缘层 / 铁磁层( FM / I/FM)的三明治结构。电子从一个磁性层隧穿到另一个磁性层的隧穿几率与两磁性层的磁化方向有关。 [详情]

磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如采用霍尔（Hall）元件，各向异性磁电阻（AMR）元件或巨磁电阻（ GMR）元件为敏感元件的磁传感器。 [详情]