搜索结果 - 多维科技Dowaytech | 磁传感器(TMR/GMR/AMR)制造商

TMR2585

产品概述TMR2585 线性磁传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件，可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在 -40°C ~ +125°C 范围内，TMR2585 的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2585 芯片性能优越，采用三种封装形式， TMR2585T 采用 TO94 封装，TMR2585B 采用 SSIP4 封… [查看更多]
TMR1369

产品概述TMR1369 是一款集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 技术，为高灵敏度、低功耗、高精度、低电压应用而开发的全极磁开关。TMR1369 采用 TMR 磁传感器和 CMOS 集成电路，包括电压发生器、比较器、施密特触发器和 Push-Pull 输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1369 通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。TMR1369 以低工作电压、nA 级的供电电流、3 H… [查看更多]
TMR2584

产品概述TMR2584 线性磁传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件，可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在 -40°C ~ +125°C 范围内，TMR2584 的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2584 芯片性能优越，采用三种封装形式， TMR2584T 采用 TO94 封装，TMR2584B 采用 SSIP4 封… [查看更多]
TMR1368

产品概述TMR1368 是一款集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 技术，为高灵敏度、低功耗、高精度、低电压应用而开发的全极磁开关。TMR1368 采用 TMR 磁传感器和 CMOS 集成电路，包括电压发生器、比较器、施密特触发器和 Push-Pull 输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1368 通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。TMR1368 以低工作电压、nA 级的供电电流、3 H… [查看更多]
TMR2583

产品概述TMR2583 线性磁传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件，可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在 -40°C ~ +125°C 范围内，TMR2583 的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2583 芯片性能优越，采用三种封装形式， TMR2583T 采用 TO94 封装，TMR2583B 采用 SSIP4 封… [查看更多]
TMR1367

产品概述TMR1367 是一款集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 技术，为高灵敏度、低功耗、高精度、低电压应用而开发的全极磁开关。TMR1367 采用 TMR 磁传感器和 CMOS 集成电路，包括电压发生器、比较器、施密特触发器和 Push-Pull 输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1367 通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。TMR1367 以低工作电压、nA 级的供电电流、3 H… [查看更多]
TMR1366

产品概述TMR1366 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。此开关芯片作为 TMR130x 系列的分时供电版本，在磁信号响应频率 50 Hz 时的静态供电电流低至 200 nA。与同样采用分时供电工作模式的 Hall/AMR 传感器相比，在高出数倍的响应频率下，平均工作电流仅为 Hall/AMR 传感器产品的几分之一。TMR1366 芯片的… [查看更多]
TMR1365

产品概述TMR1365 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。TMR1365 芯片作为 TMR130x 系列的分时供电版本，在磁信号响应频率 50 Hz 时的静态供电电流低至 200 nA。与同样采用分时供电工作模式的 Hall/AMR 传感器相比，在高出数倍的响应频率下，平均工作电流仅为 Hall/AMR 传感器产品的几分之一。TMR136… [查看更多]
TMR1363

产品概述TMR1363 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。TMR1363 芯片作为 TMR130x 系列的分时供电版本，在磁信号响应频率 50 Hz 时的静态供电电流低至 200 nA。与同样采用分时供电工作模式的 Hall/AMR 传感器相比，在高出数倍的响应频率下，平均工作电流仅为 Hall/AMR 传感器产品的几分之一。TMR136… [查看更多]
TMR1362

产品概述TMR1362 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。此开关芯片作为 TMR130x 系列的分时供电版本，在磁信号响应频率 50 Hz 时的静态供电电流低至 200 nA。与同样采用分时供电工作模式的 Hall/AMR 传感器相比，在高出数倍的响应频率下，平均工作电流仅为 Hall/AMR 传感器产品的几分之一。TMR1362 芯片的… [查看更多]
TMR2204

产品概述TMR2204 是双轴 TMR 线性磁传感器，包括两组独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，灵敏度分别为 X 轴和 Y 轴方向。每个全桥包括四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2204 性能优越，采用封装形式 DFN8L (3 mm × 3 mm × 0.75 mm)。DFN8L产品特性隧道磁阻 (TMR) 技术宽动态范围：±100 G… [查看更多]
TMR1348

产品概述TMR1348 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。与 Hall/AMR 传感器不同，TMR 传感器具有极高的电阻值，使此开关芯片工作在全时供电模式下，保持低功耗的同时，实现了真正的磁场信号的连续检测，避免了传统的分时供电模式产生的采样误差。此芯片静态供电电流低至 1.5 μA，并且保持了 1 kHz 的磁信号响应频率。SOT23-… [查看更多]
TMR2185

产品概述TMR2185 线性芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2185 性能优越，采用了 SOP8 和 LGA4L (2mm × 1.5mm × 0.73mm) 封装形式。SOP8 LGA4L产品特性隧道磁阻 (TMR) 技术高灵敏度宽动态范围低功耗… [查看更多]
TMR2153

产品概述TMR2153 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2153 性能优越，采用 SOT23-5 封装形式。SOT23-5产品特性隧道磁阻 (TMR) 技术宽动态范围：±200 Gs优越的温度稳定性非线性度：1 %符合 RoHS & REACH典型应用磁力计电流传感器角度传感器位置… [查看更多]
TMR2152

产品概述TMR2152 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2152 性能优越，采用 SOT23-5 封装形式。SOT23-5产品特性隧道磁阻 (TMR) 技术宽动态范围：±500 Gs优越的温度稳定性非线性度：1 %符合 RoHS & REACH典型应用磁力计电流传感器角度传感器位置… [查看更多]
TMR2151

产品概述TMR2151 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2151 性能优越，采用 SOT23-5 封装形式。SOT23-5产品特性隧道磁阻 (TMR) 技术宽动态范围：±1000 Gs优越的温度稳定性非线性度：1 %符合 RoHS & REACH典型应用磁力计电流传感器角度传感器位… [查看更多]
TMR2104

产品概述TMR2104 系列线性磁传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2104 系列线性芯片性能优越，采用四种封装形式：SOP8、SOT23-5、SSIP4 和 DFN8L (3 mm × 3 mm × 0.75 mm)。 SOP8 SOT23-… [查看更多]
TMR1342

产品概述TMR1342 磁开关产品是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，漏极开路输出，以实现位置的精确检测。与 Hall/AMR 传感器不同，TMR 传感器具有极高的电阻值，使此开关芯片工作在全时供电模式下，保持低功耗的同时，实现了磁场信号的连续检测，避免了 Hall/AMR 传感器在分时供电模式下的漏检现象、以及因漏检问题造成的测量误差。此芯片静态供电电流低至 1.5 μ… [查看更多]
TMR2103

产品概述TMR2103 系列线性磁传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2103 系列线性芯片性能优越，采用了三种封装形式：SOP8、SOT23-5 和 DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm)。SOT23-5 DFN8L … [查看更多]
TMR2102

产品概述TMR2102 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102 性能优越，采用两种封装形式：DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm) 和 SOP8。DFN8L SOP8产品特性隧道磁阻 (TMR) 技术高灵敏度宽动态范围低… [查看更多]
TMR1341

产品概述TMR1341 磁开关产品是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，漏极开路输出，以实现位置的精确检测。与 Hall/AMR 传感器不同，TMR 传感器具有极高的电阻值，使此开关芯片工作在全时供电模式下，保持低功耗的同时，实现了磁场信号的连续检测，避免了 Hall/AMR 传感器在分时供电模式下的漏检现象、以及因漏检问题造成的测量误差。此芯片静态供电电流低至 1.5 μ… [查看更多]
TMR7903-B

产品概述TMR7903 交流电压开关传感器，基于电场差分梯度原理，在隔离条件下实现对交流、脉冲以及其他不规则电场信号的检测。传感器电压输出和指示灯发光状态双重模式，同时判定被测线缆电压是否高于传感器出厂设定的阈值电压，确保传感器判断准确，具有抗外部电磁场干扰性能强、拆装便利的特点。TMR7903产品特性体积小，结构简单，方便拆装低功耗绝缘隔离性能强电压输出+指示灯双判断无天线设计，抗干扰性能强质量轻 (大约 10g)典型应用掉电警告交流变频调整… [查看更多]
TMR1340B

产品概述TMR1340B 磁开关产品是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，漏极开路输出，以实现位置的精确检测。与 Hall/AMR 传感器不同，TMR 传感器具有极高的电阻值，使此开关芯片工作在全时供电模式下，保持低功耗的同时，实现了磁场信号的连续检测，避免了 Hall/AMR 传感器在分时供电模式下的漏检现象、以及因漏检问题造成的测量误差。此芯片静态供电电流低至 1.5 … [查看更多]
TMR7901-B

产品概述TMR7901-B 系列电压传感器原 / 副边电路之间电气绝缘的，可以测量直流、交流和脉冲电压。TMR7901-B产品特性低功耗低损耗紧凑型设计高精度，低温漂响应时间短抗电磁干扰能力强符合 RoHS & REACH典型应用单相或三相逆变器推进和制动斩波器变电站大功率驱动… [查看更多]
TMR1309

产品概述TMR1309 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。与 Hall/AMR 传感器不同，TMR 传感器具有极高的电阻值，使此开关芯片工作在全时供电模式，保持低功耗的同时实现了真正的磁场信号连续检测，避免了传统的分时供电模式产生的采样误差。此芯片静态供电电流低至 1.5 μA，并且保持了大于 1 kHz 的磁信号响应频率。TMR1309… [查看更多]
TMR2084

产品概述TMR2084 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2084 性能优越，采用 SOT23-5 封装形式。SOT23-5产品特性隧道磁阻 (TMR) 技术高灵敏度优越的温度稳定性非线性度：1.0 %符合 RoHS & REACH典型应用磁力计电流传感器角度传感器位置传感器… [查看更多]
TMR2083

产品概述TMR2083 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2083 性能优越，采用 SOT23-5 封装形式。SOT23-5产品特性隧道磁阻 (TMR) 技术宽动态范围：±500 Gs优越的温度稳定性非线性度：0.2 %符合 RoHS & REACH典型应用磁力计电流传感器角度传感器… [查看更多]
TMR1308

产品概述TMR1308 系列磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的全极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。与 Hall/AMR 传感器不同，TMR 传感器具有极高的电阻值，使此系列开关芯片工作在全时供电模式，保持低功耗的同时实现了真正的磁场信号连续检测，避免了传统的分时供电模式产生的采样误差。此系列芯片静态供电电流低至 1.5 μA，并且保持了大于 1 kHz 的磁信号响应频率。T… [查看更多]
TMR4M08B

产品概述TMR4M08B 齿轮传感器芯片包括八个高灵敏度隧道磁阻 (TMR) 传感元件，并组成双路推挽式惠斯通电桥结构。芯片中的敏感元件排布方式与齿轮的模数一一对应，随着齿轮的旋转，双路惠斯通电桥输出两路彼此正交的正、余弦信号。信号的周期为一个齿峰加一个齿谷，用以测量齿轮转动的位置和方向。该芯片提供小体积 LGA6L (3mm × 6mm × 0.9mm) 封装，适配 0.8 模数齿轮。LGA6L产品特性隧道磁阻 (TMR) 技术该系列芯片可匹配… [查看更多]
TMR4M08

产品概述TMR4M08 齿轮传感器芯片包括八个高灵敏度隧道磁阻 (TMR) 传感元件，并组成双路推挽式惠斯通电桥结构。芯片中的敏感元件排布方式与齿轮的模数一一对应，随着齿轮的旋转，双路惠斯通电桥输出两路彼此正交的正、余弦信号。信号的周期为一个齿峰加一个齿谷，用以测量齿轮转动的位置和方向。该芯片提供小体积 LGA6L (3mm × 3mm × 0.9mm) 和 DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm) 封装，适配 0.8 模数齿轮。LG… [查看更多]