搜索结果 - 多维科技Dowaytech | 磁传感器(TMR/GMR/AMR)制造商

江苏多维科技推出200mV/V/Oe高灵敏度的高性能TMR磁传感器

江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT)日前推出了TMR29xx和TMR27xx系列的高性能隧道磁阻（TMR）线性磁场传感器，实现了高达200mV/V/Oe的高灵敏度，同时兼备低功耗和低噪声等优异性能。这些新产品适用于高精度测量以及电池供电高端工业类传感器应用，包括微弱磁场检测、电流传感器、金属探测和无损探伤。… [查看更多]
TMR传感器在自动直读式流量计中的应用

自动读表技术，是一种将水表、能量表（气表和电表）等流量计中数据自动地传输到控制中心的技术，其中数据包括用户的流量（水、气、电）使用量数据、系统运行健康情况数据，以及流量计的状态数据。… [查看更多]
多维科技在加州长岛国际传感器博览会推出高灵敏度TMR磁开关传感器

江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd. - MDT) 将于 Sensors Expo 2015 国际传感器博览会上推出高灵敏度的 TMR1208/TMR1308 磁开关传感器。这两款新产品具备高灵敏度，开关点仅为0.5mT (5Gauss)，同时兼备高速工作状态下1.5微安的低功耗，以及卓越的温度稳定性。… [查看更多]
多维科技在SENSOR+TEST 2015 国际传感及测量测试技术展览会和 SENSORS EXPO 2015 国际传感器博览会上展示先进的 TMR 磁传感器

多维科技在SENSOR+TEST 2015 国际传感及测量测试技术展览会和 SENSORS EXPO 2015 国际传感器博览会上展示先进的 TMR 磁传感器 [查看更多]
多维科技将在2014年慕尼黑上海电子展上展出TMR磁传感器

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MDT推Z轴TMR传感器可用于电子罗盘和电流传感器

MDT 独特的 TMR 技术所造就的新型 Z 轴 TMR 传感器可作为霍尔效应传感器的替代品，并拥有优异性能和超低功耗。 [查看更多]
MDT参加2013年日本传感器博览会

MDT 将在 2013 日本传感器博览会上展示 TMR 磁传感器-- 先进的 TMR 技术为工业传感器应用带来高性能、低功耗磁传感器美通社日本东京和中国张家港 2013 年 9 月 24 日电在 2013 日本传感器博览会上，江苏多维科技有限公司 (MDT) 将展示其先进的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器系列产品，包括超低功耗 TMR 磁开关、TMR 线性传感器、TMR 角度传感器、TMR 齿轮传感器和最近发布的 TMR 磁特征识别传感器系列。… [查看更多]
MDT参加2013年国际金融展展示TMR磁性识别传感器及纸币测厚方案

9月5日，2013中国国际金融展在北京展览馆正式拉开帷幕。江苏多维科技有限公司参与了针对验钞机、点钞机、清分设备、ATM等金融设备的核心验钞磁头和钞票测厚方案的展示。… [查看更多]
MDT发布用于验钞的 TMR 磁传感器

新型的 TMR 磁传感器可以为验钞等金融防伪应用实现先进的磁特征识别和磁图像提取。 [查看更多]
薛松生博士参加“微言大义”MEMS研讨会

第七届“微言大义”MEMS研讨会于2013年8月10日在中国传感网国际创新园(无锡)举办，本次会议主题为“国家级MEMS平台暨健康医疗应用”，同时开展“感知中国圆梦无锡”投资对接会。… [查看更多]
MDT参加2013年中国国际传感器与敏感元器件及检测展览会(上海)

SST中国国际传感器与敏感元器件及检测展览会暨高新技术论坛与IOT中国国际物联网展览会暨新技术与产业化论坛是由上海市传感技术学会、中电元协敏感元器件与传感器行业协会、中国微米纳米技术学会共同主办，传感技术联合国家重点实验室、昆山传感器协会、中国科学院上海微系统所、中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会、中国机械工程学会微纳制造技术分会协会共同支持的专业展会，集中展出国内外各式传感器与敏感元器件、及各式传感器检测设备和仪器、MEMS与物联网设备与技… [查看更多]
多维科技在2013传感器博览会上展示先进的TMR 磁传感器

伊利诺伊州 ROSEMONT 和中国张家港2013年6月5日电 /美通社/ --- 在2013传感器博览会 (2013 Sensors Expo) 上，江苏多维科技有限公司 (MDT) 将展示其 TMR 磁传感器系列，包括1微安超低功耗TMR 磁开关和新开发的低噪声TMR 线性磁场传感器。… [查看更多]
MDT推出磁传感器晶圆代工与知识产权授权服务

MDT 拥有强大的知识产权组合和先进的制造设备，能够为磁传感器的设计和制造提供从标准器件、定制设计、晶圆代工、到知识产权授权的综合选项服务。 [查看更多]
多维科技推出新型超低功耗TMR 磁开关传感器

德国纽伦堡和中国张家港2013年5月14日电 /美通社/ -- 在 SENSOR+TEST 2013 国际传感及测量测试技术展览会上，多维科技 (MultiDimension Technology Co.， Ltd. - MDT) 将推出新型TMR 磁开关传感器。该产品拥有多项突出的性能优点，包括超低功耗、高频响、以及优异的温度稳定性。这些传感器专为电池供电的磁开关应用系统而设计，如水表、热量表和煤气表等智能流量计。… [查看更多]
TMR磁传感器技术的发展背景

早在1975年，Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junctions， MTJs)（注：MTJs的一般结构为铁磁层/非磁绝缘层/铁磁层(FM/I/FM)的三明治结构）中观察到了TMR效应。但是，这一发现当时并没有引起人们的重视。在这之后的十几年内，TMR 效应的研究进展十分缓慢。… [查看更多]
Hall,AMR,GMR,TMR技术比较

TMR效应利用了电子的自旋特性，电子在通过第二层磁性材料时，电子的自旋方向被定义。具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO绝缘层，然后有选择性地穿过磁性层。室温条件下，TMR的最大电阻变化率（△R/R）可达500%以上。… [查看更多]
TMR晶圆制造的工艺技术

晶圆，始于薄的圆柱型晶硅，直径一般分150毫米、200毫米、300毫米，通过在晶圆上镀上各种材料成为多层膜和几何图形，最终产生出成千上万很小的电子器件。晶圆的制造过程可划分为前道（Front-end）和后道（Back-end）。… [查看更多]
隧道磁电阻(TMR)效应的物理解释

在磁隧道结（MTJ s）中，TMR效应的产生机理是自旋相关的隧穿效应。MTJ s的一般结构为铁磁层 /非磁绝缘层 / 铁磁层( FM / I/FM)的三明治结构。电子从一个磁性层隧穿到另一个磁性层的隧穿几率与两磁性层的磁化方向有关。… [查看更多]
TMR磁传感器简介

磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如采用霍尔（Hall）元件，各向异性磁电阻（AMR）元件或巨磁电阻（ GMR）元件为敏感元件的磁传感器。… [查看更多]
TMR1148

产品概述TMR1148 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的单极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。与 Hall/AMR 传感器不同，TMR 传感器具有极高的电阻值，使此开关芯片工作在全时供电模式下，保持低功耗的同时实现了真正的磁场信号连续检测，避免了传统的分时供电模式产生的采样误差。此芯片静态供电电流低至 1.5 μA，并且保持了 1 kHz 的磁信号响应频率。SOT23-3产… [查看更多]
TMR1102

产品概述TMR1102 磁开关产品是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的单极型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。与 Hall/AMR 传感器不同，TMR 传感器具有极高的电阻值，使此开关芯片工作在全时供电模式下，保持低功耗的同时，实现了磁场信号的连续检测，避免了 Hall/AMR 传感器在分时供电模式下的漏检现象、以及因漏检问题造成的测量误差。TMR1102 静态供电电流低至 1.5 μA，… [查看更多]