新型TMR磁栅传感器配合 0.4mm 磁极距磁栅的解决方案，支持高精度线性位移测量，具有出色的温度稳定性和抗杂散磁场干扰能力，在消费和工业应用中可实现的微米级的测量精度。

2024 年 6 月 11 日消息，在德国 Sensor+Test 2024 国际传感器及测量测试展览会上，专业的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器领先制造商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 启动了 TMR4101 微米级高精度磁栅传感器芯片的全球销售业务。

TMR4101典型输出信号波形

多维科技 TMR4101 磁栅传感器芯片用于消费电子和工业应用，包括相机自动对焦和变焦、微米级位移测量、线性和角度位置测量和磁编码器。TMR4101 磁栅传感器芯片与磁极距为 0.4mm 的多极磁栅配合使用，当传感器沿磁栅移动时，其两个推挽式TMR半桥结构输出相位差为 90° 的正弦和余弦信号，信号的周期对应于相邻的一对南北磁极的总长度为 0.8mm。

凭借多维科技独特的 TMR 技术，TMR4101 磁栅传感器芯片具有优异的信号灵敏度和低噪声特性，其差分梯度式的传感器设计实现了对杂散磁场信号的抗干扰能力。TMR4101 磁栅传感器芯片支持温度补偿的高精度测量方案，测量位置由具有相同温度特性的正弦和余弦信号计算得出，可有效地抑制温度对测量精度的影响。多维科技同时提供 0.4mm 磁极距的高精度磁栅，以配合 TMR4101 磁栅传感器芯片使用，磁栅的长度和宽度可以根据应用需求进行定制。TMR4101 与磁栅的配合使用，在典型应用中可以实现 ±1 微米以内的重复定位精度。

TMR4101 与配套磁栅的相对位置示意图

TMR4101 典型特性

• 在任意的位移范围内实现一致的微米级测量精度；

• 稳定的信号输出，对机械定位和测量气隙有较大容差；

• 出色的抗杂散磁场干扰的能力；

• 支持温度补偿的精准测量方案；

• 超薄DFN4L封装 (1.32 mm×0.66 mm×0.3mm)，适用于智能手机摄像头模组等空间受限的应用；

• 符合RoHS/REACH标准。

TMR4101 封装图 (DFN4L)

多维科技 TMR4101 磁栅传感器芯片及相应的磁栅可通过多维科技网店 (www.tmr-sensors.com) 或得捷电子 Digi-key 订购。有关批量定价、交付和技术指标等信息，请联系多维科技全球销售业务人员 (sales@dowayusa.com) ，或参观多维科技在 2024 年 6 月 11 日至 13 日于德国纽伦堡参展的 Sensor+Test 2024 国际传感器及测量测试展览会的 1-239 号展位，获取产品更多相关信息。