专注于隧道磁阻 (TMR) 技术研发的磁传感器制造商江苏多维科技股份有限公司 (MultiDimension Technology Co., LTD. ，品牌名称“Dowaytech”，简称“多维科技”) ，自 2024 年起至今，陆续发布了多款可应用于影像设备自动对焦 (AF) 和光学图像防抖 (OIS) 功能的 TMR 磁传感器芯片，包括 TMR2531、TMR2539 线性磁场传感器芯片，TMR3014、TMR3015 角度传感器芯片和 TMR4101 磁栅传感器芯片，在检测原理、输出特性上各有侧重，可根据具体系统架构和性能需求灵活选型。目前，该五款芯片均已进入量产供货阶段。

自动对焦 (AF) 应用芯片

多维科技 TMR4101 高精度磁栅传感器芯片，配合磁极距为 0.4mm (每对磁极长度 0.8mm) 的多对极磁栅使用，可助力实现微米级定位精度。多维科技可以根据客户需求，提供定制的配套磁栅 (MLT1080 / MLT2080系列) 。

多维科技 TMR3014 / TMR3015 角度传感器芯片是通过感知外加磁场在芯片感应平面内的方向角变化，输出周期为 360° 的正弦 (及余弦) 电压信号，与外加磁场强度无关，这一特性可以减少磁铁老化、环境温度变化导致磁场强度衰减对检测精度的影响。

光学图像防抖 (OIS) 应用芯片

多维科技 TMR2531 / TMR2539 线性磁场传感器芯片输出电压与 Z 向磁场强度成线性关系，具备大动态范围特性 (TMR2539 达 ±1500Gs) ，适合大行程 OIS 位移检测，±3000Gs 的抗水平磁场能力，可在 VCM 模组内部的强干扰环境中稳定工作。全温域 (-40~85°C) 灵敏度温度系数均控制在 -0.1%/°C 以内，确保了在极端环境下的输出稳定性。

多维科技 TMR3014 角度传感器芯片的输出信号周期对应磁场方向在感应平面内旋转 360°，这显著增强了其在复杂电磁环境中的抗杂散场能力。TMR3014 采用 DFN4L 封装，尺寸仅 0.8mm × 0.4mm × 0.23mm，工作电压 ≤5.5V，峰值电压 150mV/V，工作磁场范围 200Gs~800Gs。

TMR2531 / TMR2539 应用原理图 (左中)，TMR3014 / TMR3015 应用原理图 (右)

TMR4101应用原理图

多维科技的高精度 TMR 磁传感器芯片可应用于智能手机、运动相机、无人机、手持云台等影像设备的自动对焦 (AF) & 光学图像防抖 (OIS) 系统功能应用。从超小封装占位，到 ±1500Gs 的大动态磁场范围，无论选择是线性位移测量方案，还是方向角测量方案，均可助力实现微米级重复定位精度。

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