产品概述 | |
AMR4050 传感器芯片内部包含两组推挽式惠斯通电桥，每组电桥由四只高灵敏度各向异性磁电 (anisotropic magnetoresistance, AMR) 传感元件所组成。当芯片沿磁栅长度方向移动时，因 AMR 元件排布方式与磁极宽度相匹配，位移引起的磁场变化使两组惠斯通电桥输出两路彼此正交的弦波信号；信号的周期为一个磁极宽度位移量。对这两路弦波信号解码可精确测量芯片与磁栅之间的相对位移。 芯片内部结构有效地补偿了传感器的温度漂移，提高了传感器芯片在多种应用环境下的测量精度。AMR4050采用小型的DFN12L (6mm × 2mm × 0.75mm) 封装，芯片内部磁敏单元偏向封装体一侧，这种安排可减少对芯片安装间距的限制要求，使应用系统的结构设计更加灵活，方便装配至狭小空间。 |  DFN12L |
产品特性 | |
 各向异性磁阻 (AMR) 技术 | 宽工作电压范围 |
| 低饱和场 | 允许较大的测量间隙 |
| A、B 相模拟电压输出 | 良好的温度稳定性 |
| 优越的抗外磁场性能 | 符合 RoHS & REACH |
典型应用 | |
| 增量式或绝对式编码器 | 直线位移或角度位移编码器 |
| 磁栅尺及磁编码器 | |
