| 产品型号：AMR2501 |
| 磁阻结构：/ |
| 供电电压（V）：1.8～12 |
| 灵敏度（mV/V/Gs）：2.5 |
| 电阻（kΩ）：0.7 |
| 线性范围（Gs）：±1 |
| 敏感方向：Y轴 |
| 磁滞（Gs）：0.02 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）：0.1 |
| 封装形式：DFN16L |
| 交付周期：In Stock |
产品概述 | |
AMR2501 采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，惠斯通电桥包含四个高灵敏度 AMR 传感元件，独特 AMR 惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。AMR2501 性能优越，采用极小封装形式 DFN16L (5 mm × 6 mm × 0.75 mm)。 |  DFN16L |
产品特性 | |
 各项异性磁阻 (AMR) 技术 | 宽工作电压范围 |
| 本底噪声 100 pT/√Hz@1 Hz | 较低的饱和场 |
| 低磁滞 | 优越的温度稳定性 |
| 符合 RoHS & REACH | |
典型应用 | |
| 微弱磁场检测 | 电流传感器 |
| 位置传感器 | 磁强计 |
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