磁传感器
TMR3016 高精度 TMR 角度传感器芯片
  • TMR3016-big
产品型号:TMR3016
类 型:模拟角度
供电电压:≤ 5.5 V
角度范围:360°
电 阻:2.5kΩ
峰值 (mV/V):180
工作磁场范围:200 Gs~800 Gs
角度误差:/
输出接口:模拟差分输出
封装形式:DFN4L
交付周期:In stock

产品概述

TMR3016 角度传感器芯片采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,该电桥由四个高灵敏度隧道磁阻 (TMR) 元件组成。传感器随着外加磁场角度的变化输出正弦电压信号,该信号的周期为磁场方向在感应平面内旋转 360°,与外加磁场强度无关。

TMR3016 角度传感器芯片采用了紧凑型的封装 DFN4L (0.8 mm × 0.4 mm × 0.23 mm),便于在小空间内进行组装。

DFN4LDFN4L

产品特性

icon隧道磁阻 (TMR) 技术icon宽工作电压范围
icon正弦差分输出icon优越的温度稳定性
icon允许较大的测量间隙icon小尺寸 DFN 封装
icon符合 RoHS & REACH

典型应用

icon角度位置测量icon线性位置测量
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