产品概述 | |
TMR3017 角度传感器芯片采用双半桥结构设计，该电桥由四个高灵敏度隧道磁阻 (TMR) 元件组成。传感器随着外加磁场角度的变化输出正弦余弦电压信号，该信号的周期为磁场方向在感应平面内旋转 360°，与外加磁场强度无关。 TMR3017 角度传感器芯片采用了紧凑型的封装 DFN4L (0.8 mm × 0.4 mm × 0.23 mm)、SOT23-5 和 DFN4L (1.6 mm × 1.6 mm × 0.5 mm)，便于在小空间内进行组装。 |  DFN4L(1.6×1.6) SOT23-5 DFN4L(0.8×0.4) |
产品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技术 | 宽工作电压范围 |
| 正弦、余弦单端输出 | 优越的温度稳定性 |
| 允许较大的测量间隙 | 小尺寸 DFN 封装 |
| 符合 RoHS & REACH | |
典型应用 | |
| 角度位置测量 | 线性位置测量 |
