磁传感器
TMR2185 大动态范围TMR线性磁传感器芯片
  • TMR2185-big
产品型号:TMR2185
磁阻结构:全桥
供电电压:0.5 V ~ 7 V
灵敏度(mV/V/Gs):0.34
电阻(kΩ):4.3
饱和场(Gs):±1000
敏感方向:Y轴
磁滞(Gs):0.3
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
封装形式:SOP8 LGA4L
交付周期:In stock

产品概述

TMR2185 线性芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2185 性能优越,采用了 SOP8 和 LGA4L (2mm × 1.5mm × 0.73mm) 封装形式。

sop8、lga4lSOP8                    LGA4L

产品特性

icon隧道磁阻 (TMR) 技术icon高灵敏度
icon宽动态范围icon低功耗
icon优越的温度稳定性icon符合 RoHS & REACH

典型应用

icon磁力计icon电流传感器
icon角度传感器icon位置传感器
  • 最近新品
  • 最近新品
  • 最近新品
  • TMR2153

    TMR2153

    隧道磁阻TMR线性磁传感器芯片
  • TMR2602

    TMR2602

    可编程 TMR 线性磁传感器芯片
  • TMR2604

    TMR2604

    可编程 TMR 线性磁传感器芯片

申明:江苏多维科技有限公司(简称多维科技)承诺本网页所提供的信息是准确和可靠的,所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提高产品质量,可靠性和功能以更改产品规格的权力。多维科技对任何超出产品应用范围而造成的后果不承担法律责任。

  • 在线客服