传感器
TMR9112 超高灵敏度, 极低噪声TMR线性传感器跟初始化线圈
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  • tmr9112
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产品型号:TMR9112
兼容型号:
磁阻结构:全桥
供电电压:0~7 V
敏度(mV/V/Oe):100
电阻(kΩ):50
饱和场(Oe):±8
敏感方向:X轴
磁滞(Oe):0.02
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):0.15
封装形式:LGA(6x6x0.75)
交付周期:In stock
规格说明书:点击下载
  • TMR9112

产品概述:TMR9112传感器磁阻的惠斯通桥可以用电压或者电流驱动,改配置能够在暴露在大磁场环境中或者极低温度下依然稳定的测量磁场。 通电时,磁阻的惠斯通桥把灵敏度方向的磁场转换为电压输出。出了磁阻的桥接电路,传感器还包含一个磁耦合的初始化线圈。该多维专利特性允许适当的磁域对齐,即使在不受控制的环境中,大磁场暴露或温度变化不可避免,能有一个传感器,可以提供稳定的低磁滞和低偏置输出。TMR9112 封装形式:LGA (6mm X 6 mm X 0.75 mm)。

 

产品特性:(1隧道磁电阻(TMR)技术;2超高灵敏度(100mV/V/Oe);3极低的本底噪声(150pT/√Hz@1Hz);4超低功耗;5优越的温度稳定性;6低的磁滞;7宽工作电压范围;8暴露在大磁场后精确操控的初始线圈

 

典型应用:(1微弱磁场检测;2电流传感器;3位置传感器;4生物医疗;5磁通讯;(6)不受控制的磁环境的精密传感


TMR91XX系列产品应用说明书

an-tmr91xx-zh-20171110



                                                                                                                         

申明:(1)多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的,所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提高产品质量,可靠性和功能以更改产品规格的权力。多维科技对任何超出产品应用范围而造成的后果不承担法律责任。(2)“多维科技“和“多维科技 感知未来”是江苏多维科技有限公司的合法注册商标。

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