产品概述:TMR2501采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件,可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。在-55℃~+150℃范围内,TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2501性能优越,采用两种封装形式:TO94和SSIP4。
产品特性:(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)高灵敏度;(3)低功耗;(4)优越的温度稳定性;(5)极低的磁滞;(6)宽工作电压范围
典型应用:(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)位置传感器。