传感器
TMR2305M 三轴TMR线性传感器
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产品型号:TMR2305M
兼容型号:
磁阻结构:全桥
供电电压:0~7 V
敏度(mV/V/Oe):25
电阻(kΩ):9
饱和场(Oe):±10
敏感方向:X/Y/Z轴
磁滞(Oe):1
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~2
封装形式:Module(9.5 x 9.5 x 6)
交付周期:In stock
规格说明书:
  • TMR2305M

产品概述:三轴TMR2305M采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2305M采用的封装形式:Module(9.5mm x 9.5mm x 6mm)。


产品特性:(1)隧道磁电阻 (TMR) 技术;(2)高灵敏度(25mV/V/Oe);(3)低的本底噪声(<2nT/rT(Hz)@1Hz);(4)三维线性感应;(5)极宽动态范围;(6)低功耗;(7)优越的温度稳定性;(8)宽工作电压范围;(9)无需置位/复位脉冲电路


典型应用:(1)三维空间测量;(2)微弱磁场检测;(3)电流传感器;(4)位置传感器


                                                                                                                         

申明:(1)多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的,所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提高产品质量,可靠性和功能以更改产品规格的权力。多维科技对任何超出产品应用范围而造成的后果不承担法律责任。(2)“多维科技“和“多维科技 感知未来”是江苏多维科技有限公司的合法注册商标。

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