传感器
TMR9003 超高灵敏度、极低噪声TMR 线性传感器
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  • sop8
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产品型号:TMR9003
兼容型号:
磁阻结构:全桥
供电电压:0~7 V
敏度(mV/V/Oe):30
电阻(kΩ):50
饱和场(Oe):±15
敏感方向:X轴
磁滞(Oe):0.1
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):0.75
封装形式:SOP8
交付周期:In stock
规格说明书:
  • TMR9003

产品概述:TMR9003采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR9003性能优越,采用的封装形式:SOP86mm×5mm×1.5mm)。

 

产品特性:(1隧道磁电阻(TMR)技术;2高灵敏度(30mV/V/Oe);3极低的本底噪声(750pT/Hz @1Hz);4宽动态范围;5超低功耗;6优越的温度稳定性;7极低的磁滞;8宽工作电压范围;9不需要置位/复位脉冲电路

 

典型应用:(1微弱磁场检测;2电流传感器;3位置传感器;4生物医疗5磁通讯

sop8

                                                                                                                         

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