传感器
TMR2104 大动态范围TMR线性传感器
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  • dfn8l(3x3x0.75)
  • sop8
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产品型号:TMR2104
兼容型号:
磁阻结构:全桥
供电电压:0~7 V
敏度(mV/V/Oe):3.1
电阻(kΩ):30
饱和场(Oe):±150
敏感方向:X轴
磁滞(Oe):0.5
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~10
封装形式:SOP8 DFN8L(3×3×0.75)
交付周期:In stock
规格说明书:
  • TMR2104

产品概述:TMR2104采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2104性能优越,采用SOP8(6mm × 5mm × 1.5mm)、DFN8L(3mm × 3mm × 0.75mm)封装形式。

 

产品特性:(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)高灵敏度;(3)宽动态范围;(4)低功耗;(5)优越的温度稳定性

 

典型应用:(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)角度传感器;(4)位置传感器

sop8 dfn8l(3x3x0.75)

                                                                                                                         

申明:(1)多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的,所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提高产品质量,可靠性和功能以更改产品规格的权力。多维科技对任何超出产品应用范围而造成的后果不承担法律责任。(2)“多维科技“和“多维科技 感知未来”是江苏多维科技有限公司的合法注册商标。

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